Didelės galios impulsų formavimo grandinių valdiklių projektavimas ir tyrimas
Malyško, Veronika | Recenzentas / Rewiewer |
Šablinskas, Andrius | Darbo gynimo komisijos pirmininkas / Thesis Defence Board Chairman |
Darbo gynimo komisijos narys / Thesis Defence Board Member | |
Darbo gynimo komisijos narys / Thesis Defence Board Member | |
Darbo gynimo komisijos narys / Thesis Defence Board Member | |
Darbo gynimo komisijos narys / Thesis Defence Board Member | |
Darbo gynimo komisijos narys / Thesis Defence Board Member | |
Darbo gynimo komisijos narys / Thesis Defence Board Member |
Baigiamasis magistro darbas, orientuotas į didelės galios impulsų valdiklių projektavimą ir tyrimus nagrinėjant SiC (silicio karbido) MOSFET, kurie yra pažangūs puslaidininkiniai įrenginiai, naudojami galios elektronikoje. Pateikta literatūros apžvalga, lyginanti SiC MOSFET su kitais tipais, išnagrinėta jų vidinė ir išorinė struktūra, detaliai apžvelgti jų veikimo principai, blokavimo charakteristikos, įjungimo ir išjungimo procesai. Darbe taip pat aptariamas užtūros valdiklių, skirtų galios srautui valdyti, valdymas.Baigiamojo darbo tiriamojoje dalyje naudojant modeliavimo sistemą siekiama ištirti pasirinktų tranzistorių persijungimo elgseną keičiantis bandymo sąlygoms. Jame taip pat aptariami šių tranzistorių atrankos kriterijai ir kaip svarbu atsižvelgti į parazitinius parametrus, kurie gali turėti įtakos įrenginių veikimui. Darbą sudaro keturios dalys: įvadas, analitinė dalis, išvados, literatūros sąrašas. Darbo apimtis - 44 p. teksto be priedų, 45 iliustr., 4 lent., 20 bibliografinių šaltinių.Atskirai pridedami darbo priedai.
Master thesis focusing on the design and research of high power pulse controllers by studying SiC (silicon carbide) MOSFETs, which are advanced semiconductor devices used in power electronics. A literature review is presented comparing SiC MOSFETs with other types of devices, examining their internal and external structure, and providing a detailed overview of their operating principles, blocking characteristics, and switching on and off processes. The paper also discusses the control of gate drivers for power flow control.The research part of the final thesis uses a simulation system to investigate the switching behaviour of selected transistors under changing test conditions. It also discusses the selection criteria for these transistors and the importance of taking into account parasitic parameters that can affect the performance of the devices. The thesis consists of four parts: introduction, analytical part, conclusions, list of references. The volume of the thesis is 44 p. of text without appendices, 45 illustrations, 4 tables, 20 bibliographic sources.Appendices are attached separately.