H-tiltelio topologijos įtampos keitiklio projektavimas ir tyrimas
Žurauskienė, Nerija | Recenzentas / Rewiewer |
Baigiamojo darbo tiriamoje metodinėje dalyje atliktos valdomų ir nevaldomų lygintuvų analizės, pateiktos parametrų skaičiavimo formulės ir išnagrinėtos įvairių lygintuvų tipų schemos. Atliktos vienos fazės pusės tiltelio ir pilnojo tiltelio galios keitiklių teorinės analizės, aprašytos šių keitiklių topologijos. Atlikta H keitiklių pagrindinių valdymų principų analizė ir pateiktos parametrų skaičiavimų formulės. Trečioje metodinėje dalyje išanalizuotas įvairių puslaidininkinių valdomų ir nevaldomų raktų pritaikymas šiuolaikiniuose keitikliuose Pateikti keitiklių valdymo metodai ir vidinės puslaidininkinių elementų (MOSFET, IGBT) charakteristikas.Antroje eksperimentinėje dalyje išnagrinėtas H tiltelio topologijos keitiklis, kuriame atvaizduota. modelių signalų formavimo eiga, laikinės diagramas ir apkrovos grafikai. Į schemas integruoti filtrai ir pateiktos laikinės diagramos. Pateikti atlikti skaičiavimai ir MOSFET bei IGBT raktų palyginimai.Darbą sudaro: įvadas, tiriamoji metodinė dalis, tiriamoji eksperimentinė dalis, išvados ir rekomendacijos, literatūros sąrašas.Darbo apimtis 72 psl. teksto be priedų, 67 pav., 9 lentelių, 35 literatūros šaltinių.Prieduose pateikti tiriamoje eksperimentinėje dalyje gauti grafikai.
This final master work analyzes controlled and uncontrolled rectifiers and inverters. In the methodological part of final work formulas, parameters and various schemes of converters were analyzed. Theoretical part consists of single-phase half bridge and full bridge power converters. In this part topologies of converters basic control principles and formulas for the calculations were described. In the last methodological part, there was presented various applications of controlled and uncontrolled converters. Also, the methods of inverter control and internal characteristics of semiconductor elements (MOSFET, IGBT) were also presented.In the experimental part H-bridge topology inverter is examined. This experimental part consists of model signal formation process, time diagrams and various load graphs. Therefore, filters were integrated into schemes and diagrams were provided. Furthermore, the paper includes calculations and comparisons of MOSFET and IGBT keys,The structure of the master final project: introduction, methodological research part, experimental research part, conclusions and recommendations, references.Thesis consists of 72 pages. text without appendixes, 67 figures, 9 tables, 35 references.Appendices provide graphs obtained in the experimental part under study.