VILNIUS TECH University Research Management System (CRIS)
Use this url to cite publication: https://hdl.handle.net/20.500.14911/129652

Milimetrinio bangų ilgio ruožo elektromagnetinės spinduliuotės detekcija GaAs/AIGaAs heterosandūrose

Publication Type (CRIS)
Straipsnis nerecenzuojamoje Lietuvos konferencijos medžiagoje / Article in non-peer-reviewed Lithuanian conference proceedings (P2c)
Publication Type (eLABa)
Straipsnis nerecenzuotame konferencijos darbų leidinyje / Article in an un-reviewed conference proceedings (P2)
Author(s)
AuthorAffiliation
Ašmontas, Steponas
Puslaidininkių fizikos institutas
Gradauskas, Jonas  
Fizikos katedra / Department of Physics (1020)  
Puslaidininkių fizikos institutas
Lučun, Andžej
Puslaidininkių fizikos institutas
Lietuvos edukologijos universitetas
Seliuta, Dalius  
Puslaidininkių fizikos institutas
Sužiedėlis, Algirdas  
Fizikos katedra / Department of Physics (1020)  
Puslaidininkių fizikos institutas
Šilėnas, Aldis
Puslaidininkių fizikos institutas
Valušis, Gintaras  
Fizikos katedra / Department of Physics (1020)  
Puslaidininkių fizikos institutas
Title
Milimetrinio bangų ilgio ruožo elektromagnetinės spinduliuotės detekcija GaAs/AIGaAs heterosandūrose
[lt]
S. Ašmontas, J. Gradauskas, A. Lučun, D. Seliuta, A. Sužiedėlis, A. Šilėnas, G. Valušis
Title in other language
The detection of electromagnetic radiation of millimeter wavelength range in GaAs/AlGaAs heterojunctions
[en]
Is part of
Spinduliuotės sąveika su medžiaga ir jos naudojimas technologijoje : konferencijos pranešimų medžiaga, Kauno technologijos universitetas, 2001 m. gegužės 28
Published In
YearStart PageEnd Page
2001
72
75
Publisher
Kaunas : Technologija
Extent
p. 72-75
URI
URI
https://hdl.handle.net/20.500.14911/129652
Science / Art Area
Gamtos mokslai / Natural Sciences (N)
Field of Science / Art
Fizika / Physics (N002)
Abstract (en)

We presented the experimental and theoretical findings of the detection of microwave signals in Ka wavelenght range at room temperature using GaAs/AlxGa1-xAs heterojunctions with various values of ole fraction x of AlAs in AlxGa1-xAs alloys. Frequency dependencies of voltage sensitivity of the heterojunction diodes revealed considerable contribution of intervaley scattering to the detected voltage.

Resource Type (COAR)
TextConference outputConference proceedingsConference paper
Language
Lietuvių / Lithuanian (lt)
Country
Lietuva / Lithuania (LT)
eLABa ID
3581703