Hot carrier evidence in a solar cell
| Author | Affiliation | |
|---|---|---|
Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | ||
Ašmontas, Steponas | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | |
Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | ||
Šilėnas, Aldis | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | |
Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | ||
Vaičikauskas, Viktoras | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | |
Žalys, Ovidijus Alfonsas | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | |
| Year | Start Page | End Page |
|---|---|---|
2020 | 1 | 2 |
| URI | Access Rights |
|---|---|
| https://hdl.handle.net/20.500.14911/113235 | |
| https://www.eupvsec-proceedings.com/proceedings/dvd.html | Viso teksto dokumentas (prieiga prenumeratoriams) / Full Text Document (Access for Subscribers) |
| https://www.eupvsec.org/ | Renginio puslapis / Event Website |
| https://talpykla.elaba.lt/elaba-fedora/objects/elaba:147805520/datastreams/MAIN/content | |
| https://talpykla.elaba.lt/elaba-fedora/objects/elaba:147805520/datastreams/ATTACHMENT_147808228/content |
According to the Shockley-Queisser theory, only photons with energy h close to a semiconductor forbidden energy gap Eg are used effectively for electrical power generation. Lower energy photons are assumed as not absorbed at all, while the residual extra energy of higher energy photons is reckoned in only through the process of carrier thermalization. On the other hand, free carriers can be heated by the infrared radiation as well as by the photons supplying the mentioned extra residual energy. The intraband light absorption has been demonstrated to rise a hot carrier photoemf across a semiconductor l-h [1, 2] and p-n [3, 4] potential barrier illuminated with a CO2 laser (h = 117 meV) radiation. The polarity of this emf is opposite to that of the classical carrier generation-induced one.