The investigation of gyroelectric n-InAs phase shifters characteristics
| Year | Volume | Issue | Start Page | End Page |
|---|---|---|---|---|
2012 | 122 | 6 | 121 | 124 |
| URI | Access Rights |
|---|---|
| https://hdl.handle.net/20.500.14911/134846 | |
| Straipsnis | Viso teksto dokumentas (atviroji prieiga) / Full Text Document (Open Access) |
Straipsnyje tiriamos atvirųjų cilindrinių giroelektrinių fazės keitiklių charakteristikos, keičiant jų parametrus: magnetinio srauto tankį, dielektrikų sluoksnių skaičių, storius ir dielektrines skvarbas. Nustatyta, kad n-InAs puslaidininkiniuose ir puslaidininkiniuosedielektriniuose fazės keitikliuose didžiausias diferencinis fazės pokytis gaunamas, kai magnetinio srauto tankis yra nuo 0 iki 0,25 T. Mažiausiai elektromagnetinės bangos slopinamos keitikliuose su vienu išorinio dielektriko sluoksniu.
In this paper the open cylindrical gyroelectric phase shifters characteristics are investigated. The investigation is performed by changing their parameters: the magnetic flux density, the number of layers of dielectric, width and permittivities. The highest differential phase shift in n-InAs semiconductor and semiconductor-dielectric phase shifters can be obtained in range of magnetic flux density from 0 to 0.25 T. The minimum attenuation in phase shifters is obtained with one external dielectric layer.