VILNIUS TECH University Research Management System (CRIS)
Use this url to cite publication: https://hdl.handle.net/20.500.14911/134841

Siauros draustinės juostos puslaidininkiai intensyvaus fotosužadinimo sąlygomis

Publication Type (CRIS)
Konferencijų tezės nerecenzuojamame leidinyje / Conference theses in non-peer-reviewed publication (T2)
Publication Type (eLABa)
Konferencijos pranešimo tezės / Conference presentation abstract (T2)
Author(s)
AuthorAffiliation
Šatkovskis, Eugenijus  
Fizikos katedra / Department of Physics (1020)  
Title
Siauros draustinės juostos puslaidininkiai intensyvaus fotosužadinimo sąlygomis
[lt]
E. Šatkovskis
Title in other language
Narrow forbidded gap semiconductors under intense photoexcitation
[en]
Is part of
35-oji jubiliejinė Lietuvos nacionalinė fizikos konferencija : programa ir pranešimų tezės, Vilnius, 2003 m. birželio 12-14
Published In
Year
2003
Publisher
Vilnius : Puslaidininkių fizikos institutas, 2003
Extent
p. 209
URI
URI
https://hdl.handle.net/20.500.14911/134841
Science / Art Area
Gamtos mokslai / Natural Sciences (N)
Field of Science / Art
Fizika / Physics (N002)
Abstract (en)

The main results of the narrrow-gap semiconductors InAs, InSb and CdxHg1-xTe investigations under intense pused laser light excitation is summarised.[.......].

Resource Type (COAR)
TextConference outputConference proceedingsConference paper
Language
Lietuvių / Lithuanian (lt)
Country
Lietuva / Lithuania (LT)
ISBN (of the container)
9986869773
eLABa ID
3645225