Use this URL to cite this publication: https://hdl.handle.net/20.500.14911/126466
Nenokristalinio GaAs darinių gavimas ir tyrimas
Publication Type (CRIS)
Straipsnis nerecenzuojamoje Lietuvos konferencijos medžiagoje / Article in non-peer-reviewed Lithuanian conference proceedings (P2c)
Publication Type (eLABa)
Straipsnis nerecenzuotame konferencijos darbų leidinyje / Article in an un-reviewed conference proceedings (P2)
Author(s)
| Author | Affiliation |
|---|---|
Sabaitytė, Jolanta | Puslaidininkių fizikos institutas |
Šimkienė, Irena | Puslaidininkių fizikos institutas |
Grigonis, K. | |
Jasutis, Vytautas | Puslaidininkių fizikos institutas |
Pačebutas, Vaidas | Puslaidininkių fizikos institutas |
Tvardauskas, Henrikas | Puslaidininkių fizikos institutas |
Title
Nenokristalinio GaAs darinių gavimas ir tyrimas
J. Sabaitytė, I. Šimkienė, R. A. Bendorius, K. Grigonis, V. Jasutis, V. Pačebutas, H. Tvardauskas
Is part of
Taikomoji fizika : konferencijos pranešimų medžiaga, Kauno technologijos universitetas, 2000 m. balandžio 13
Published In
| Year | Start Page | End Page |
|---|---|---|
2000 | 396 | 399 |
Publisher
Kaunas : Technologija
Extent
p. 396-399
Science / Art Area
Gamtos mokslai / Natural Sciences (N)
Field of Science / Art
Fizika / Physics (N002)
Abstract (en)
Porous GaAs layers were obtained by electrochemical etching of n- and p- type wafers. Increasing a duration and current density of etching changes the porosity of bulk GaAs and the Ga2O3 and As2O3 are formed on sample surface. [...].
Resource Type (COAR)
TextConference outputConference proceedingsConference paper
Language
Lietuvių / Lithuanian (lt)
Country
Lietuva / Lithuania (LT)
Owning collection
eLABa ID
3544800