Magnetoresistance relaxation in thin La-Sr-Mn-O films exposed to high pulsed magnetic fields
| Author | Affiliation |
|---|---|
Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | |
Balevičius, Saulius | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras |
Pavilonis, Dainius | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras |
Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | |
Keršulis, Skirmantas | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras |
| Year | Volume | Issue | Start Page | End Page |
|---|---|---|---|---|
2012 | 41 | 10 | 181 | 184 |
| URI | Access Rights |
|---|---|
| https://hdl.handle.net/20.500.14911/142681 | |
| Santrauka | Dokumento santrauka/dalis |
The results of investigation of colossal magnetoresistance relaxation in nanostructured La-Sr-Mn-O films after removal of magnetic field pulse are presented. The 400 nm thick films grown by MOCVD technique were studied in the magnetic field range of 2-10 T and temperature range of 100-290 K using a pulsed magnetic field generator based on capacitor bank discharge. A special design of magnetic coil with nonmetallic outer casing made from polyamide material allowed to distinguish relaxation processes occurring in three different time scales: ultrafast (< 1 microseconds), fast (~ 100 microseconds), and slow (~ 1 ms). The dynamics of fast relaxation was analysed using Kolmogorov–Avrami–Fatuzzo model, taking into account reorientation of magnetic domains into equilibrium state. The slow relaxation was analysed by Kohlrausch–Williams–Watts model, considering short-range interaction of magnetic moments in disordered grain boundaries having spin-glass properties.