Growth and characterization of UTC photo-diodes containing GaAs1-xBix absorber layer

Geižutis, Andrejus; Pačebutas, Vaidas; Butkutė, Renata; Svidovsky, Polina; Strazdienė, Viktorija; Krotkus, Arūnas

doi:10.1016/j.sse.2014.04.042

Use this URL to cite this publication: https://hdl.handle.net/20.500.14911/147010

Growth and characterization of UTC photo-diodes containing GaAs1-xBix absorber layer

Details

Publication Type (CRIS)

Straipsnis Web of Science duomenų bazėje / Article in Web of Science database (S1a)

Publication Type (eLABa)

Straipsnis Web of Science DB / Web of Science DB article (S1)

VILNIUS TECH Research Priorities and Topics

Fizinių, technologinių ir ekonominių procesų matematiniai modeliai ir metodai / Mathematical models and methods of physical, technological and economic processes (FM03)

Lithuanian Intelligent Specialization

Nauji gamybos procesai, medžiagos ir technologijos / New production processes, materials and technologies (L104)

Author(s)

Author	Affiliation
Geižutis, Andrejus	Elektroninių sistemų katedra / Department of Electronic Systems (0549)	Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras
Pačebutas, Vaidas	Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras
Butkutė, Renata	Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras
Svidovsky, Polina	Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras
Strazdienė, Viktorija	Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras
Krotkus, Arūnas	Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras

Title

Growth and characterization of UTC photo-diodes containing GaAs1-xBix absorber layer

[en]

Andrejus Geižutis, Vaidas Pačebutas, Renata Butkutė, Polina Svidovsky, Viktorija Strazdienė, Arūnas Krotkus

Is part of

Solid-state electronics

Published In

Year	Volume	Start Page	End Page
2014	99	101	103

Publisher

New York : Elsevier

Publisher (trusted)

Elsevier

Referenced in Database(s)(DBs)

ScienceDirect

Science Citation Index Expanded (Web of Science)

Extent

p. 101-103

URI

URI	Access Rights
https://hdl.handle.net/20.500.14911/147010
Straipsnis	Viso teksto dokumentas (atviroji prieiga) / Full Text Document (Open Access)

DOI

10.1016/j.sse.2014.04.042

Cited references

Science / Art Area

Technologijos mokslai / Technological sciences (T)

Field of Science / Art

Elektros ir elektronikos inžinerija / Electrical and electronic engineering (T001)

Fizika / Physics (N002)

Keywords (en)

Abstract (en)

Uni-Travelling-Carrier Photo-Diodes (UTC-PD) with GaAs1 xBix absorber layer have been fabricated and characterized. Two UTC-PD structures with and without a cliff layer between the absorber and collector were investigated. The spectral sensitivity dependences are similar for both UTC-PDs and are reaching the wavelength of 1.3 lm. Photosensitivity of structure with a cliff was one order of magnitude larger than that of the device without it.