Use this URL to cite this publication: https://hdl.handle.net/20.500.14911/125998
Pecularities of excitonic photoluminescence in Si δ-doped GaAs structures
Publication Type (CRIS)
Konferencijų tezės nerecenzuojamame leidinyje / Conference theses in non-peer-reviewed publication (T2)
Publication Type (eLABa)
Konferencijos pranešimo tezės / Conference presentation abstract (T2)
Author(s)
| Author | Affiliation | ||
|---|---|---|---|
Nargelienė, Viktorija | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | Puslaidininkių fizikos institutas | |
Ašmontas, Steponas | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | Puslaidininkių fizikos institutas | |
Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | Puslaidininkių fizikos institutas | Lietuvos edukologijos universitetas | |
Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | Puslaidininkių fizikos institutas | ||
Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | |||
Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | Puslaidininkių fizikos institutas |
Title
Pecularities of excitonic photoluminescence in Si δ-doped GaAs structures
N. Nargelienė ... [et al.]
Is part of
14th International symposium on ultrafast phenomena in semiconductors : abstracts, 23-25 August, 2010, Vilnius, Lithuania
Published In
| Year |
|---|
2010 |
Publisher
Vilnius : Semiconductor Physics Institute, 2010
Extent
p. 28
Science / Art Area
Gamtos mokslai / Natural Sciences (N)
Field of Science / Art
Fizika / Physics (N002)
Resource Type (COAR)
TextConference outputConference proceedingsConference paper
Language
Anglų / English (en)
Country
Lietuva / Lithuania (LT)
Owning collection
ISBN (of the container)
9789955750086
eLABa ID
5888439