Valdymo grandinių įtakos IGBT tranzistoriaus dinaminiams parametrams tyrimas

Bleizgys, Vytautas; Platakis, Andrius

doi:10.3846/mla.2010.013

Use this URL to cite this publication: https://hdl.handle.net/20.500.14911/125597

Valdymo grandinių įtakos IGBT tranzistoriaus dinaminiams parametrams tyrimas

Details

Publication Type (CRIS)

Straipsnis kitoje duomenų bazėje / Article in other database (S4)

Publication Type (eLABa)

Straipsnis kitoje DB / Article in other DB (S3)

Author(s)

Author	Affiliation
Bleizgys, Vytautas	Kompiuterijos ir ryšių technologijų katedra / Department of Computer Science and Communications Technologies (0559)
Platakis, Andrius	Kompiuterijos ir ryšių technologijų katedra / Department of Computer Science and Communications Technologies (0559)

Title

Valdymo grandinių įtakos IGBT tranzistoriaus dinaminiams parametrams tyrimas

[lt]

Vytautas Bleizgys, Andrius Platakis

Title in other language

Investigation of impact of the gate circuitry on IGBT transistor dynamic parameters

[en]

Is part of

Mokslas – Lietuvos ateitis = Science – future of Lithuania: Elektronika ir elektrotechnika

Published In

Year	Volume	Issue	Start Page	End Page
2010	2	1	59	62

Publisher

Vilnius : Technika

Referenced in Database(s)(DBs)

Index Copernicus

Extent

p. 59-62

URI

URI	Access Rights
https://hdl.handle.net/20.500.14911/125597
Straipsnis	Viso teksto dokumentas (atviroji prieiga) / Full Text Document (Open Access)
https://talpykla.elaba.lt/elaba-fedora/objects/elaba:3901122/datastreams/MAIN/content

DOI

10.3846/mla.2010.013

Science / Art Area

Technologijos mokslai / Technological sciences (T)

Field of Science / Art

Elektros ir elektronikos inžinerija / Electrical and electronic engineering (T001)

Keywords (lt)

Keywords (en)

Abstract (lt)

Ištirta dvipolių tranzistorių su izoliuota užtūra (IGBT angl. Insulated Gate Bipolar Transistor) valdymo grandinių parametrų įtaka tranzistorių kolektoriaus srovės ir kolektoriaus–emiterio įtampos frontų trukmei, tranzistoriui atsidarant ir užsidarant. Ištirta grandinių parametrų įtaka IGBT tranzistorių modulio, naudojamo inverteryje, šilimui.

Abstract (en)

The impact of Insulated Gate Bipolar Transistor driver circuit parameters on the rise and fall time of the collector current and voltage collector-emitter was investigated. The influence of transistor driver circuit parameters on heating of Insulated Gate Bipolar Transistors was investigated as well.