Use this url to cite publication: https://hdl.handle.net/20.500.14911/149195
Dilute bismides for terahertz optoelectronic applications
Publication Type (CRIS)
Konferencijų tezės nerecenzuojamame leidinyje / Conference theses in non-peer-reviewed publication (T2)
Publication Type (eLABa)
Kitos konferencijos pranešimo tezės / Other conference presentation abstracts (T3)
Author(s)
| Author | Affiliation | |
|---|---|---|
Krotkus, Arūnas | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | |
Pačebutas, Vaidas | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | |
Butkutė, Renata | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | |
Bičiūnas, Andrius | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | |
Arlauskas, Andrius | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | |
Adamonis, Juozas | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | |
Svidovsky, Polina | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | |
Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras |
Title
Dilute bismides for terahertz optoelectronic applications
A. Krotkus ... [et al.]
Is part of
NATO advanced research workshop on detection of explosives and CBRN (using terahertz) : Cesme, Izmir, Turkey, November 3-6, 2012 : abstracts
Published In
| Year | Start Page | End Page |
|---|---|---|
2012 | 1 | 2 |
Publisher
Izmir
Extent
P. 1-2
Science / Art Area
Gamtos mokslai / Natural Sciences (N)
Field of Science / Art
Fizika / Physics (N002)
Abstract (en)
New materials - dilute group III bismides are shown to be a proper choice for numerous applications in terahertz and mid-infrared range optoelectronic devices. Their main advantage is rapid reduction of the energy bandgap with increasing bismuth composition, which allows to reach interband transitions wavelengths of 1.55 μm for the layers grown on GaAs substrates and 6 μm for lattice-matched with InP layers even in alloys with a relatively small Bi-content. This contribution reviews most recent achievements in applying dilute bismides for THz radiation generation and coherent detection.
Resource Type (COAR)
TextConference outputConference proceedingsConference paper
Language
Anglų / English (en)
Country
Turkija / Turkey (TR)
Owning collection
eLABa ID
6025521