VILNIUS TECH University Research Management System (CRIS)
Use this URL to cite this publication: https://hdl.handle.net/20.500.14911/129649

Karštųjų krūvininkų įtaka CO2 lazerio spinduliuotės indukuotam fotoatsakui HgCdTe p-n sandūrose

Publication Type (CRIS)
Straipsnis nerecenzuojamoje Lietuvos konferencijos medžiagoje / Article in non-peer-reviewed Lithuanian conference proceedings (P2c)
Publication Type (eLABa)
Straipsnis nerecenzuotame konferencijos darbų leidinyje / Article in an un-reviewed conference proceedings (P2)
Author(s)
AuthorAffiliation
Ašmontas, Steponas
Puslaidininkių fizikos institutas
Gradauskas, Jonas  
Fizikos katedra / Department of Physics (1020)  
Puslaidininkių fizikos institutas
Seliuta, Dalius  
Puslaidininkių fizikos institutas
Sužiedėlis, Algirdas  
Fizikos katedra / Department of Physics (1020)  
Puslaidininkių fizikos institutas
Širmulis, Edmundas
Fizikos institutas
Valušis, Gintaras  
Fizikos katedra / Department of Physics (1020)  
Puslaidininkių fizikos institutas
Title
Karštųjų krūvininkų įtaka CO2 lazerio spinduliuotės indukuotam fotoatsakui HgCdTe p-n sandūrose
[lt]
S. Ašmontas, J. Gradauskas, D. Seliuta, A. Sužiedėlis, E. Širmulis, G. Valušis
Title in other language
Hot carrier effect on photoresponse induced by CO2 laser light in HgCdTe p-n junctions
[en]
Is part of
Spinduliuotės sąveika su medžiaga ir jos naudojimas technologijoje : konferencijos pranešimų medžiaga, Kauno technologijos universitetas, 2001 m. gegužės 28
Published In
YearStart PageEnd Page
2001
68
71
Publisher
Kaunas : Technologija
Extent
p. 68-71
URI
URI
https://hdl.handle.net/20.500.14911/129649
Science / Art Area
Gamtos mokslai / Natural Sciences (N)
Field of Science / Art
Fizika / Physics (N002)
Abstract (en)

We report the first experimental observation of fast photoemf in HgCdTe p-n junctions induced by free carrier heating under CO2 laser radiation. The signal has polarity opposite to that of an ordinary photovoltaic emf and their magnitudes may be comparable. Looking to practical consequences, it is reasonable to note: First, the employment of hot carrier effects is prosperous to detect short (tens of ps) infrared pulses; Second opposite polarity of hot carrier emf compared to ordinary photoemf should be taken into account when developing and using narrow-gap semiconductor detectors.

Resource Type (COAR)
TextConference outputConference proceedingsConference paper
Language
Lietuvių / Lithuanian (lt)
Country
Lietuva / Lithuania (LT)
eLABa ID
3581525