Photoluminescence peculiarities of epitaxial structure with 2DEG layer designed for microwave detectors

Čerškus, Aurimas; Sužiedėlis, Algirdas; Lučun, Andžej; Anbinderis, Maksimas; Gradauskas, Jonas; Šutinys, Ernestas

doi:10.1007/s00339-018-2166-4

Use this URL to cite this publication: https://hdl.handle.net/20.500.14911/123528

Photoluminescence peculiarities of epitaxial structure with 2DEG layer designed for microwave detectors

Details

Publication Type (CRIS)

Straipsnis Web of Science ir Scopus duomenų bazėje / Article in Web of Science and Scopus database (S1)

Publication Type (eLABa)

Straipsnis Web of Science DB / Web of Science DB article (S1)

VILNIUS TECH Research Priorities and Topics

Metamedžiagos ir nanodariniai / Metamaterials and Nano-structures (MC0202)

Lithuanian Intelligent Specialization

Nauji gamybos procesai, medžiagos ir technologijos / New production processes, materials and technologies (L104)

Author(s)

Author	Affiliation
Čerškus, Aurimas	Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras	Mechatronikos, robotikos ir skaitmeninės gamybos katedra / Department of Mechatronics, Robotics and Digital Manufacturing (0450)
Sužiedėlis, Algirdas	Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras	Fizikos katedra / Department of Physics (1020)
Lučun, Andžej	Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras
Anbinderis, Maksimas	Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras
Gradauskas, Jonas	Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras	Fizikos katedra / Department of Physics (1020)
Šutinys, Ernestas	Mechatronikos, robotikos ir skaitmeninės gamybos katedra / Department of Mechatronics, Robotics and Digital Manufacturing (0450)

Title

Photoluminescence peculiarities of epitaxial structure with 2DEG layer designed for microwave detectors

[en]

Aurimas Čerškus, Algirdas Sužiedėlis, Andžej Lučun, Maksimas Anbinderis, Jonas Gradauskas, Ernestas Šutinys

Is part of

Applied physics A. Materials science & processing

Published In

Year	Volume	Issue	Start Page	End Page
2018	124	11(742)	1	6

Publisher

Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg

Publisher (trusted)

Springer Berlin Heidelberg

Referenced in Database(s)(DBs)

SCOPUS

Science Citation Index Expanded (Web of Science)

Extent

p. 1-6

URI

URI
https://hdl.handle.net/20.500.14911/123528

DOI

10.1007/s00339-018-2166-4

Cited references

Science / Art Area

Gamtos mokslai / Natural Sciences (N)

Field of Science / Art

Fizika / Physics (N002)

Mechanikos inžinerija / Mechanical Engineering (T009)

Medžiagų inžinerija / Materials engineering (T008)

Keywords (en)

Abstract (en)

We use two simple analysis methods to determine quantum efficiency and relative carrier recombination rates in GaAs layers of microwave detector. By means of these methods, we evaluate internal quantum efficiency as a function of pump power and temperature. It does not have the highest value at low temperatures as usual, but increases with temperature and reaches nearly 99% at liquid nitrogen or room temperature depending on pump power.